PMOS（P-channel Metal-Oxide-Semiconductor）的导通条件如下：
栅极低电平导通：
PMOS的导通条件是栅极（Gate）电压低于源极（Source）电压一个阈值，这个阈值称为开启电压（Threshold Voltage，Vt）。当栅极电压（Vgs）小于或等于Vt时，PMOS管导通；当Vgs大于Vt时，PMOS管截止。
源极接高电平：
由于PMOS的源极通常接电源电压（VDD），所以要让Vgs大于Vt，栅极需要接负电压，这样管子才能导通。
控制信号控制：
在某些应用中，可以通过控制信号（如PWR_EN）来控制PMOS的导通和关断。例如，当控制信号为高电平时，PMOS管导通；当控制信号为低电平时，PMOS管截止。
总结：
PMOS的导通条件是栅极电压低于源极电压一个阈值（Vt）。
源极通常接电源电压（VDD），因此栅极需要接负电压。
可以通过控制信号来控制PMOS的导通和关断。